[뉴스퀘스트=최인호 기자] SK하이닉스는 3.7GB(기가바이트) 용량의 풀HD급 영화 124편을 1초 만에 전송할 수 있는 세계 최고속 'HBM2E' D램 개발에 성공했다고 14일 밝혔다.

‘HBM2E’는 기존 고대역폭 메모리(HBM·High Bandwidth Memory) 규격인 ‘HBM2 D램’ 보다 처리 속도를 50% 높인 차세대 제품이다.

이 제품은 3.6Gb(기가비트) 처리 속도를 통해 GB로 환산 시 초당 460GB의 데이터를 처리할 수 있다.

기존 제품의 데이터 처리 속도는 초당 약 307GB 수준이었다.

HBM D램은 실리콘관통전극(TSV·Through Silicon Via) 기술을 활용해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 크게 높인 고성능 제품이다. TSV는 D램 칩에 미세한 구멍 수천 개를 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통한 전극으로 상호 연결하는 기술이다. 일반적으로 기존 방식보다 크기는 30% 이상, 전력 소모는 50% 이상 각각 줄어드는 효과가 발생한다.

용량은 단일 제품 기준 16Gb로, SK하이닉스는 16Gb 칩 8개를 TSV 기술로 수직 연결해 16GB를 구현했다.

이번 신제품은 초고속 데이터 처리에 적합한 고부가가치 제품으로 고용량 데이터를 동시에 처리해야 하는 그래픽처리장치(GPU)에서 수요가 많을 것으로 보인다.

향후 대용량 그래픽 처리가 병행돼야 하는 머신러닝, 슈퍼컴퓨터, 인공지능(AI) 등 4차 산업에 기반한 시스템에서 활용도가 크다는 의미다.

HBM은 메모리 칩을 모듈 형태로 만들어 메인보드에 연결하는 기존 방식이 아니라 칩 자체를 GPU 등에 수십 ㎛(마이크로미터) 수준 간격으로 가까이 장착해 칩 간 거리를 단축시킴으로써 더욱 빠른 데이터 처리가 가능하다는 게 업체측 설명이다.

SK하이닉스는 올해 1월 미국 라스베이거스에서 열린 세계 최대 정보기술(IT)·가전 박람회인 CES에서 그룹 계열사들과 공동 전시관을 마련하고 차세대 HBM 반도체 솔루션을 선보이면서 글로벌 마케팅을 강화했다.

전준현 SK하이닉스 HBM사업전략 담당은 "SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 HBM D램을 출시한 이후 지금까지 기술 경쟁력을 바탕으로 시장을 선도했다"며 "HBM2E 시장이 열리는 2020년부터 본격 양산을 개시해 프리미엄 메모리 시장에서 리더십을 지속적으로 강화하겠다"고 말했다.