삼성전자 평택2공장 본격 가동, 세계 최대규모 세계 최초 제품 생산

삼성전자는 연면적이 12만8900㎡(축구장 16개 크기)에 달하는 세계 최대 규모의 반도체 공장인 평택 2라인 가동에 들어갔다고 30일 밝혔다.[사진=삼성전자 제공]
삼성전자는 연면적이 12만8900㎡(축구장 16개 크기)에 달하는 세계 최대 규모의 반도체 공장인 평택 2라인 가동에 들어갔다고 30일 밝혔다.[사진=삼성전자 제공]

【뉴스퀘스트=김호일 기자】세계 최대 규모의 반도체 공장인 삼성전자 평택 2공장이 30일 가동에 들어갔다.

지난 2018년 총 30조원을 투자해 착공한 삼성전자 평택2공장은 앞으로 업계 최초로 극자외선(EUV) 공정을 적용한 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램을 생산한다.

삼성전자는 "이번 평택 2라인은 지난 2018년 8월에 발표한 180조원 투자, 4만명 고용 계획의 일환으로 건설된 것으로 회사는 어려운 여건 속에서도 신규투자와 채용을 적극 확대하고 있다."고 강조했다

이에 따라 평택 1라인에 이어 이번 평택 2라인에도 총 30조원 이상의 대규모 투자가 집행된다.

직접 고용하는 인력은 약 4000명으로 예상되고 협력사 인력과 건설인력을 포함하면 약 3만명 이상의 고용창출이 기대된다

반도체 업계에서는 삼성전자의 평택2공장 본격 가동에 대해 '세계 최대' 생산시설에서 '세계 최초' 제품을 내놓음으로써 후발 반도체 업체들과 초격차를 또다시 벌린 것으로 평가한다.

3세대 10나노급(1z) 기반 16GB LPDDR5
3세대 10나노급(1z) 기반 16GB LPDDR5

삼성전자는 이번에 양산에 돌입한 10나노 D램에 이어 V낸드와 초미세 파운드리까지 평택 2공장에서 생산한다.

삼성전자는 지난 5월 EUV 기반 파운드리 생산라인을 착공한데 이어 6월에는 낸드플래시 생산라인을 착공, 두 라인 모두 2021년 하반기부터 본격 가동할 예정이다.

반도체 업계에서는 삼성이 세계 최대 규모 생산시설에 파운드리 설비를 신설하는 것에 특히 주목하고 있다.

메모리 반도체는 수요와 공급이 유동적인 반면 파운드리는 고정적인 납품처가 필요하기 때문이다.

당연히 삼성전자가 이미 다수의 파운드리 고객사를 확보했다는 분석이다.

삼성전자는 최근 7나노 EUV 기술을 적용한 IBM의 차세대 서버용 파워10 프로세서를 수주하기도 했다.

코로나19 재확산과 미·중 무역 갈등 속에 불확실성이 커진 상황에서도 삼성전자가 이처럼 공격적 투자를 이어나가는 배경에는 이재용 부회장의 의지가 컸다는 평가다.

이 부회장은 지난 5월 평택 EUV 파운드리 라인을 구축하기로 결정하면서 DS부문 경영진들에게 "어려울 때일수록 미래를 위한 투자를 멈춰서는 안된다"고 강조한 바 있다.

이 부회장은 지난해 4월 세계최초 EUV 전용 생산시설인 경기 화성 'V1라인' 건설 현장을 찾은데 이어 올해 초에는 화성 화성 반도체연구소와 생산라인을 방문해 'EUV 기술' 개발 현황과 라인 가동 상황을 점검하는 등 반도체 투자 현장을 직접 챙기고 있다.

삼성전자 평택캠퍼스에 들어선 2공장은 축구장 16개 크기로 연 면적만 12만8900㎡에 달한다.

2017년부터 가동한 평택 1공장(11만9000㎡)까지 더하면 평택 캠퍼스의 생산시설 규모는 24만7900㎡(약 7만5000평)이다.

새로 양산한 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램은 5세대(5G) 모바일 수요를 겨냥한 제품으로 지난 3월 삼성전자가 글로벌 고객사에 샘플로 공급한 1세대 10나노 D램에 비해 한 층 업그레이드 됐다.

데이터 처리효율도 세계 최고 수준으로  16GB 제품 기준으로 1초당 풀HD급 영화(5GB) 약 10편에 해당하는 51.2GB를 처리할 수 있다.

두께도 획기적으로 얇아졌다.

16Gb LPDDR5 모바일 D램 칩 8개로 16GB 제품을 구성할 수 있어 기존 제품(12Gb 칩 8개 + 8Gb 칩 4개)대비 30% 더 얇은 패키지를 만들 수 있다.

삼성전자는 멀티카메라, 5G 등 부품수가 많은 스마트폰과 폴더블폰 같이 두께가 중요한 제품에 적합하다고 강조했다.

1z LPDDR5 D램을 공급할 수 있는 업체도, EUV 공정으로 D램을 제조할 수 있는 곳도 삼성전자가 유일하다는 것이다.

 삼성전자는 앞으로 전장용 제품까지 D램 사용처를 확대해 나갈 예정이다.

<삼성전자 최첨단 D램 상용화 일지>

·2009.07월 40나노급 2Gb DDR3 양산

·2010.02월 40나노급 4Gb DDR3 양산

·2010.07월 30나노급 2Gb DDR3 양산

·2011.09월 20나노급(2x) 2Gb DDR3 양산

·2012.11월 20나노급(2y) 4Gb DDR3 양산

·2013.11월 20나노급(2y) 6Gb LPDDR3 양산

(※ 2014.02월 20나노급(2y) 8Gb LPDDR4 양산)

·2014.02월 20나노(2z) 4Gb DDR3 양산

·2014.10월 20나노(2z) 8Gb DDR4 양산

·2014.12월 20나노(2z) 8Gb LPDDR4 양산

·2014.12월 20나노(2z) 8Gb GDDR5 양산

·2015.08월 20나노(2z) 12Gb LPDDR4 양산

·2016.02월 1세대 10나노급(1x) 8Gb DDR4 양산

·2016.09월 1세대 10나노급(1x) 16Gb LPDDR4/4X 양산

·2017.11월 2세대 10나노급(1y) 8Gb DDR4 양산

·2019.03월 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 개발

·2019.06월 2세대 10나노급(1y) 12Gb LPDDR5 양산

·2019.09월 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 양산

·2020.03월 4세대 10나노급(1a) D램(EUV) 개발

·2020.03월 1세대 10나노급(1x) D램(EUV) 샘플 100만개 공급

·2020.08월 3세대 10나노급(1z) 16Gb LPDDR5(EUV) 양산

·2021년 4세대 10나노급(1a) 16Gb DDR5/LPDDR5(EUV) 양산 예정

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