자사 D램 중 EUV 기술 첫 적용...초미세 공정으로 원가 경쟁력 향상 기대
삼성전자, 1a D램 양산 작업 한창...美 마이크론은 6월 한발 앞서 양산 돌입

EUV(극자외선) 기술이 적용된 SK하이닉스의 10나노급 4세대 D램 [사진=SK]

【뉴스퀘스트=김보민 기자】 SK하이닉스가 극자외선(EUV) 미세공정을 적용한 4세대(1a) 모바일 D램을 양산하면서 'EUV 시대'에 합류했다. 

이에 메모리 반도체 시장에서 각축전을 벌이는 삼성전자 등 주요 기업과의 신경전이 치열해질 것으로 보인다. 시장 선점을 위한 미국 마이크론과의 경쟁도 본격화될 전망이다.

12일 SK하이닉스는 이달 초부터 위와 같은 기술이 적용된 8Gbit(기가비트) LPDDR4 양산을 시작했다고 밝혔다.

신제품 LPDDR4(Low Power Double Data Rate 4)는 스마트폰 등 이동식 기기용으로 개발된 D램으로, 이전 제품에 비해 전력 소비를 20% 가량 줄여준다.

이번 신제품은 오는 하반기부터 스마트폰 제조사들에게 본격 공급될 예정이다.

SK하이닉스에게 있어 이번 모바일 D램 양산은 자사 D램 중 처음으로 EUV 공정 기술이 적용됐다는 데 의미가 크다.

EUV 공정은 초미세 기술력 확보를 위해 필수로 확보해야 하지만, 장비 도입부터 운용까지 기술적인 측면에서 단기간 추격이 어렵다.

뿐만 아니라 D램 원가 경쟁력도 높일 수 있을 것으로 전망된다. 미세 공정으로 반도체의 원판인 웨이퍼 한 장으로 더 많은 D램을 잘라낼 수 있기 때문이다.

SK하이닉스는 이전 세대와 같은 규격의 웨이퍼 한 장에서 약 25% 늘어난 D램을 확보할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

업계는 SK하이닉스가 이번 신제품 출시로 삼성전자보다 한 발 앞서 1a D램을 양산하는 데 성공했다고 평가하고 있다.

EUV 공정을 먼저 적용한 삼성전자는 지난해 4분기 실적 콘퍼런스콜에서 올해 1a D램 출시를 예고한 뒤 양산 작업에 한창이다.

경쟁사 마이크론과의 경쟁도 본격화될 것으로 보인다.

산제이 메흐로트라 마이크론 최고경영자(CEO)는 지난 6월 모바일용 1a D램의 양산을 시작했다며 최신 데이터센터용 프로세서들과 호환 인증도 마쳤다고 밝혔다.

한편 SK하이닉스는 이번에 EUV 공정기술의 안정성을 확보한 만큼 향후 1a D램 제품과 차세대 D램인 DDR5에 관련 기술을 적용해나갈 것이라고 밝혔다.

조영만 SK하이닉스 1a D램 TF장(부사장)은 "이번 1a D램은 생산성과 원가 경쟁력이 개선돼 높은 수익성을 기대할 수 있는 제품"이라며 "EUV를 양산에 본격 적용함으로써 최첨단 기술을 선도하는 기업오서의 위상을 공고히 할 것"이라고 말했다.

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