SK하이닉스, TSMC심포지엄서 HBM4 샘플 공개 "연내 양산한다"

HBM 기술 소개...AI 데이터센터용 메모리모듈 선봬

2025-04-25     황재희 기자
SK하이닉스가 전시한 HBM4 12단, HBM3E 16단과 엔비디아의 GPU(그래픽처리장치) 모듈인 B100, HBM에 적용된 기술을 표현한 3D 구조물. [사진=SK하이닉스]

【뉴스퀘스트=황재희 기자】SK하이닉스가 인공지능(AI) 메모리 파트너사인 대만 TSMC의 기술 심포지엄에 참가해 최신 고대역폭메모리(HBM) 제품을 선보였다.

SK하이닉스는 23일(현지 시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 개최된 TSMC 2025 테크놀로지 심포지엄에 참가했다고 25일 밝혔다.

이번 행사는 TSMC가 글로벌 파트너사와 최신 기술과 제품을 공유하기 위해 마련됐다. 올해 SK하이닉스는 ‘메모리, 파워링AI 그리고 내일'을 슬로건으로 HBM 과 AI 데이터센터 솔루션 기술력을 선보였다.

먼저 HBM 솔루션 존에서는 SK하이닉스의 HBM4 12단과 HBM3E 16단 제품이 공개됐다. HBM4 12단은 초당 2TB(테라바이트) 이상의 데이터를 처리하는 차세대 HBM으로 올 하반기 양산 예정이다.

또 SK하이닉스의 HBM3E 8단이 탑재된 엔비디아의 최신 그래픽처리장치(GPU) 블랙웰 모듈인 B100과 함께 TSV(실리콘관통전극기술), 어드밴스드 MR-MUF 등 HBM에 적용된 최신 기술을 알기 쉽게 표현한 3D 구조물도 전시했다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치 고성능 메모리다. SK하이닉스는 지난해 3월부터 5세대 HBM3E 양산을 시작했고 지난달 글로벌 주요 고객사에 6세대 HBM4 샘플을 전달했다.

AI·데이터센터 솔루션 존에서는 성능을 높이고 전력 소모를 줄여주는 서버용 메모리 모듈인 RDIMM과 속도가 더 향상된 MRDIMM 라인업을 공개했다. 지난해 8월 개발에 성공한 10나노(nm)급 6세대(1c) 미세공정 기술이 적용된 DDR5 D램 기반 고성능 서버용 모듈도 다수 선보였다.

SK하이닉스 관계자는 "이번 심포지엄을 통해 HBM4 등 차세대 제품에 대한 업계의 많은 관심을 확인할 수 있었다”며 "TSMC와의 기술 협력을 통해 HBM 을 성공적으로 양산해 AI 메모리 리더십을 더 공고히 하겠다"고 밝혔다.

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