3분기 매출 9조662억원…영업손실 1조7920억원, 적자규모 감소
기술력과 제품 경쟁력 기반 매출 확대, 영업손실 규모 축소
김우현 부사장 “미래 AI 인프라의 핵심 회사, 앞선 기술력으로 새로운 시장 열어갈 것”

SK하이닉스 이천 본사 외부 전경. [사진=SK하이닉스]
SK하이닉스 이천 본사 외부 전경. [사진=SK하이닉스]

【뉴스퀘스트=권일구 기자 】 SK하이닉스가 고성능 메모리 제품을 중심으로 시장 수요가 증가하면서 영업손실이 감소하는 등 경영실적이 점차 개선되고 있는 것으로 나타났다. 특히 D램은 2개 분기 만에 흑자로 돌아섰다.

SK하이닉스는 26일 실적발표회를 열고, 올해 3분기 매출 9조662억원, 영업손실 1조7920억원, 순손실 2조1847억원의 경영실적을 달성했다고 발표했다.

매출은 전 분기 7조3059억원 대비 24% 증가했으며, 전년 동기(10조8929억원) 대비 17% 감소했다.

SK하이닉스는 고성능 메모리 제품을 중심으로 시장 수요가 증가하면서 회사 경영실적은 지난1분기를 저점으로 지속적으로 개선되고 있다고 설명했다.

특히 대표적인 인공지능(AI)용 메모리인 HBM3, 고용량 DDR5와 함께 고성능 모바일 D램 등 주력제품들의 판매가 호조를 보이며 전분기 대비 매출은 24% 증가하고 영업손실은 38% 감소했다.

올해 1분기 적자로 돌아섰던 D램은 2개 분기 만에 흑자 전환에 성공했다.

매출 증가 추세에 대해 SK하이닉스는 “D램과 낸드 모두 판매량이 늘어난 것은 물론, D램 평균판매가격(ASP, Average Selling Price) 상승이 큰 영향을 미쳤다”고 분석했다.

제품별로 살펴보면, D램은 AI 등 고성능 서버용 제품 판매 호조에 힘입어 2분기 대비 출하량이 약 20% 늘어났다, ASP 또한 약 10% 상승했다. 낸드도 고용량 모바일 제품과 반도체 기억소자를 사용한 저장장치인 SSD(Solid State Drive) 중심으로 출하량이 늘었다.

SK하이닉스는 흑자로 돌아선 D램은 생성형 AI 붐과 함께 낸드도 시황이 나아지는 조짐이 서서히 나타나고 있어 전사 경영실적의 개선 추세를 이어가기 위해 만전을 기하겠다는 입장이다.

또한 고대역폭 메모리(HBM)과 DDR5, LPDDR5 등 고부가 주력제품에 대한 투자를 늘리기로 했다. D램 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) 중심으로 공정을 전환하는 한편, HBM과 TSV에 대한 투자를 확대한다는 계획이다.

TSV(Through Silicon Via)이란 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 어드밴스드 패키징 (Advanced Packaging) 기술이다.

김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 “고성능 메모리 시장을 선도하면서 미래 AI 인프라의 핵심이 될 회사로 탄탄하게 자리매김하고 있다”며 “앞으로 HBM, DDR5 등 제품들을 통해 기존과는 다른 새로운 시장을 창출해내고, 고성능 프리미엄 메모리 1등 공급자로서의 입지를 지속 강화해 나가겠다”고 말했다.

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