R&D에 73조원·생산 인프라에 60조원 등...전문 인력도 1만5000명 채용키로

삼성전자 화성캠퍼스 EUV 라인 전경. [사진제공=삼성전자]
삼성전자 화성캠퍼스 EUV 라인 전경. [사진제공=삼성전자]

[뉴스퀘스트=최인호 기자] 삼성전자가 2030년까지 총 133조원을 투자해 시스템 반도체 분야의 연구개발(R&D) 및 생산기술을 확충하고, 전문인력 1만5000명을 채용한다.

독보적인 기술력을 보유하고 있는 메모리 뿐만 아니라 시스템 반도체를 비롯한 비(非)메모리 사업에서도 글로벌 1위를 달성한다는 비전이다.

삼성전자는 24일 발표한 '반도체 비전 2030'을 통해 시스템 반도체 사업경쟁력 강화를 위해 오는 2030년까지 R&D 분야에 73조원, 최첨단 생산 인프라에 60조원을 각각 투자하기로 했다고 밝혔다.

대규모 R&D 투자로 국내 시스템 반도체 연구인력 양성에 기여하고 시설 확충을 통해 국내 설비·소재 업체를 포함한 시스템 반도체 생태계 전반의 발전에 기여한다는 목표다.

이와 관련 향후 경기도 화성캠퍼스의 신규 EUV(극자외선) 생산라인을 활용해 생산량을 늘리는 한편 신규 라인 투자도 계속 진행한다는 것이다.

삼성전자는 이와 함께 기술경쟁력 강화를 위해서는 시스템 반도체 R&D 제조 전문인력 1만5000명을 채용할 계획이다.

삼성전자는 이런 계획이 실행되면 오는 2030년까지 연평균 11조원의 R&D·시설 투자가 집행되고, 생산량이 늘어남에 따라 42만명에 달하는 간접 고용유발 효과가 발생할 것으로 내다봤다.

삼성전자 클린룸 반도체 생산현장. [사진제공=삼성전자]
삼성전자 클린룸 반도체 생산현장. [사진제공=삼성전자]

아울러 삼성전자는 국내 팹리스(반도체 설계 전문업체)를 지원하는 등 상생협력을 통해 국가 차원의 시스템 반도체 산업 생태계 구축을 선도한다는 전략도 함께 내놨다.

국내 팹리스 업체를 지원하는 등 상생협력을 통해 한국 시스템 반도체 산업생태계를 강화한다는 것이다.

국내 중소 팹리스 고객들이 제품 경쟁력을 강화하고 개발기간도 단축할 수 있도록 인터페이스IP, 아날로그 IP, 시큐리티(Security) IP 등 삼성전자가 개발한IP(Intellectual Property, 설계자산)를 지원할 예정이다.

또 보다 효과적으로 제품을 개발할 수 있도록 삼성전자가 개발한 설계·불량 분석 툴(Tool) 및 소프트웨어 등도 지원하기로 했다.

반도체 위탁생산 물량 기준도 완화해 중소 팹리스 업체의 소량 제품 생산을 지원하고, 이들 업체의 개발 활동에 필수적인 '멀티 프로젝트 웨이퍼' 프로그램도 공정당 연 2~3회로 확대 운영할 계획이다.

삼성전자의 이번 계획은 올해 들어 정부가 꾸준히 강조하고 있는 신성장동력 확보 차원의 비메모리 산업 육성에 부응하는 것이다.

실제로 문재인 대통령은 최근 국무회의에서 "메모리 반도체에 비해 상대적으로 경쟁력이 취약한 비메모리 반도체 분야의 경쟁력을 높여 메모리 반도체 편중 현상을 완화하는 방안을 신속히 내놓기 바란다"고 주문했다.

업계 관계자는 "삼성전자는 지난 2013년 이른바 '비전 2020'을 통해 오는 2020년까지 세계 전자업계 1위로 도약하겠다는 목표를 제시 했었다"며 "이번 '반도체 비전 2030'은 주력 사업인 반도체를 중심으로 하는 중장기 청사진으로 보인다"고 말했다.

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