【뉴스퀘스트=김동호 기자】 삼성전자가 평택캠퍼스 2라인에 약 8조원을 투자해 낸드플래시 생산라인을 증설한다.

삼성전자는 1일 “5월 평택 2라인에 낸드플래시 생산을 위한 클린룸 공사에 착수했으며, 2021년 하반기 양산을 시작할 계획”이라고 밝혔다.

이는 이재용 부회장이 지난해 4월 2030년까지 133조원을 투자해 시스템 반도체 1위 자리를 차지하겠다고 밝힌 '반도체 비전 2030'의 일환으로, 삼성전자는 지난달 21일 이곳에 약 10조원 규모의 초미세 극자외선(EUV) 파운드리 라인을 증설하겠다고 밝힌 바 있다.

특히 삼성전자의 이번 투자는 이재용 부회장의 "어려울 때일수록 미래를 위한 투자를 멈춰서는 안된다"는 '반도체 초격차' 의지를 재확인한 것이다.

삼성전자는 이번 평택캠퍼스 2라인의 한 개 층을 EUV 파운드리 라인과 낸드플래시 라인으로 활용하고, 다른 한 개 층에는 메모리 반도체 D램 생산 라인을 추가 구축할 것으로 알려졌다.

업계 관계자들은 삼성전자의 이번 투자금액이 약 7조∼8조원 규모에 달할 것으로 보고 있다.

삼성전자 관계자는 “이번 투자는 AI, IoT 등 4차 산업혁명 도래와 5G 보급에 따른 중장기 낸드수요 확대에 대응하기 위한 것”이라며 “특히 최근 ‘언택트’ 라이프스타일이 확산될 것으로 예상되는 가운데, 미래 시장 기회를 선점해 나간다는 전략”이라고 설명했다.

한편, 지난 2015년 조성된 평택캠퍼스는 삼성전자의 차세대 메모리 전초기지로서 세계 최대규모의 생산라인 2개가 건설됐다.

삼성전자는 2002년 낸드플래시 시장 1위에 올라 현재까지 18년 이상 독보적인 제조, 기술경쟁력으로 글로벌 시장 리더의 자리를 지키고 있으며 지난 해 7월 업계 최초로 6세대(1xx단) V낸드 제품을 양산한 바 있다.

삼성전자는 이번 투자로 증설된 라인에서 삼성전자의 최첨단 V낸드 제품이 양산될 것으로 기대된다.

최철 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 부사장은 “이번 투자는 불확실한 환경 속에서도 메모리 초격차를 더욱 확대하기 위한 노력”이라며 “최고의 제품으로 고객 수요에 차질없이 대응함으로써 국가 경제와 글로벌 IT산업 성장에 기여할 것”이라고 밝혔다.