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최종편집 2021-10-17 13:25 (일)
'메모리 초격차' 벌리는 삼성전자...EUV 14나노 D램 양산 돌입
'메모리 초격차' 벌리는 삼성전자...EUV 14나노 D램 양산 돌입
  • 김보민 기자
  • 승인 2021.10.12 14:28
  • 댓글 0
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생산성·소비전력 개선으로 미세공정 우위 기대...EUV 기술 적용한 DDR5 D램 선봬
삼성전자가 극자외선(EUV) 공정을 활용한 업계 최선단 14나노 D램 양산에 돌입했다. 사진은 EUV 신규 공정 기술이 적용된 최신 DDR5 D램. [사진=삼성전자]

【뉴스퀘스트=김보민 기자】 삼성전자가 메모리반도체 D램 시장에 초격차 승부수를 던졌다.

12일 삼성전자는 극자외선(EUV) 공정을 적용한 업계 최선단 14나노미터(nm·나노) D램 양산에 돌입했다고 밝혔다.

삼성전자는 지난해 3월 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 D램 모듈을 공급했으며, 현재 글로벌 시장에서 유일하게 EUV 멀티레이어 공정을 적용해 최선단 14나노 D램을 구현하고 있다.

삼성전자는 반도체 회로를 세밀하게 구현할 수 있는 EUV 노광 기술을 확대해 D램의 성능과 수율을 향상, 미세공정 경쟁에서 우위를 확보할 수 있을 것으로 기대했다.

이날 소개된 14나노 D램은 5개의 레이어에 EUV 공정을 적용한 제품으로, 웨이퍼 집적도가 높아 이전 세대(1z)보다 생산성과 소비전력을 각각 20% 향상시킨 게 특징이다.

웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 D램 수량이 약 20% 증가한다는 의미로 해석할 수 있다.

삼성전자는 먼저 신규 공정기술이 적용된 DDR5 D램을 선보일 예정이다. DDR5는 최고 7.2Gbps의 속도를 구현해 전 세대보다 2배 이상 빠른 규격을 갖고 있다.

1Gbps가 '1초에 약 10억비트의 데이터 전송'을 뜻한다는 점을 고려했을 때, DDR5는 1초에 72억비트 가량의 데이터를 보낼 수 있는 셈이다.

현재 DDR5는 데이터센터와 슈퍼컴퓨터, 기업용 서버 시장을 중심으로 성장하는 추세다.

최근 인공지능(AI)·머신러닝 등 데이터 이용방식이 고도화되면서, 더 빨리 더 많은 데이터를 안정적으로 운용할 수 있는 반도체가 필요해졌기 때문이다.

삼성전자는 14나노 공정과 EUV 공정 기술력을 토대로, 단일 칩 최대 용량인 24Gb D램까지 양산할 계획이라고 밝혔다.

이주영 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장(전무)은 "지난 30년간 끊임없는 기술 혁신을 통해 반도체 미세공정의 한계를 극복해 왔다"라며 "고용량·고성능뿐만 아니라 높은 생산성으로 5G·AI·메타버스 등 빅데이터 시대에 필요한 최고의 메모리 솔루션을 공급하겠다"라고 강조했다.

삼성전자 서울 서초사옥 [사진=연합뉴스]

한편 삼성전자는 글로벌 반도체 기업들의 패권 경쟁 속 D램 왕좌를 지켜내고 있다.

글로벌 시장조사업체 옴디아에 따르면 삼성전자의 매출 기준 D램 시장 점유율은 올해 2분기 43.2%로 1위를 거머쥐었다. 올해 1분기(41.2%)에서 2%포인트 증가한 성적이다.

같은 기간 SK하이닉스는 28.8%에서 28.2%로 2위, 미국 마이크론은 24.3%에서 22.7%로 3위를 기록했다. 삼성전자 외 상위 기업이 모두 점유율 하락세를 나타낸 것이다.