321단 1Tb TLC 4D 낸드 플래시 양산 시작
'3-플러그' 공정 기술 도입해 적층 한계 돌파
이전 세대 대비 생산성 59%, 읽기 성능 13% 향상

'반도체대전'에 열린 SK하이닉스 부스 전경. SK하이닉스는 부스 중앙에 데이터센터 형태의 모형을 마련해놓고 좌우로 PIM, GDDR6-AiM, HBM3E 12단 등을 전시했다.  [사진=김민우 기자] SK하이닉스는 321단 1Tb(테라비트) TLC 4D 낸드 플래시를 양산하기 시작했다. [SK하이닉스 제공=뉴스퀘스트]
'반도체대전'에 열린 SK하이닉스 부스 전경. SK하이닉스는 부스 중앙에 데이터센터 형태의 모형을 마련해놓고 좌우로 PIM, GDDR6-AiM, HBM3E 12단 등을 전시했다.  [사진=김민우 기자] SK하이닉스는 321단 1Tb(테라비트) TLC 4D 낸드 플래시를 양산하기 시작했다. [SK하이닉스 제공=뉴스퀘스트]

【뉴스퀘스트=김민우 기자】 SK하이닉스가 1년만에 자사가 세운 업계 최고층 낸드 기록을 경신했다.

SK하이닉스는 321단 1Tb(테라비트) TLC 4D 낸드 플래시를 양산하기 시작했다고 21일 밝혔다. 

SK하이닉스는 앞서 지난해 2분기 직전 세대 최고층인 4D 238단 낸드를 양산한지 1년만에 또 한번 업계 최고층 낸드 생산에 성공했다.

낸드 플래시는 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 비휘발성 메모리 반도체의 일종이다.

USB 메모리, SD카드, SSD(솔리드 스테이트 드라이브) 등에 널리 사용된다. 최근에는 스마트폰, 태블릿 PC, 디지털 카메라 등 휴대용 기기에 탑재되고 있다

낸드 플래시는 메모리 셀 하나에 저장할 수 있는 데이터 비트 수에 따라 SLC(Single Level Cell, 1개)-MLC(Multi Level Cell, 2개)-TLC(Triple Level Cell, 3개)-QLC(Quadruple Level Cell, 4개)-PLC(Penta Level Cell, 5개) 등으로 나뉜다.

정보 저장량이 늘어날수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있는 장점이 있다.

SK하이닉스가 발표한 신제품엔 셀 하나에 3비트 데이터를 저장하는 TLC 방식과 셀을 수직으로 쌓아 올리는 4D 낸드 기술이 결합됐다.

SK하이닉스는 이번 제품 개발 과정에서 생산 효율이 높은 '3-플러그' 공정 기술이 도입돼 적층 한계를 극복했다.

'3-플러그' 기술은 세 번에 걸쳐 여러 겹으로 쌓인 셀에 수직 구멍을 내 이를 전기적으로 연결하는 방식을 말한다.

SK하이닉스는 이 과정에서 저변형 소재를 개발하고 플러그 간 자동 정렬 보정 기술을 도입했다.

아울러 이전 세대인 238단 낸드의 개발 플랫폼을 321단에도 적용해 공정 변화를 최소화함으로써 생산성을 이전 대비 59% 향상시켰다.

또한 이번 321단 제품은 기존 세대 대비 데이터 전송 속도가 21%, 읽기 성능은 13% 늘었으며 데이터 읽기 전력 효율도 10% 이상 높아졌다.

SK하이닉스는 내년 상반기부터 321단 제품을 고객사에 공급해 시장 요구에 대응해 나간다는 계획이다.

최정달 SK하이닉스 최정달 부사장(NAND개발담당)은 “300단 이상 낸드 양산에 가장 먼저 돌입하면서 AI 데이터센터용 SSD, 온디바이스 AI 등 AI 스토리지 시장을 공략하는 데 유리한 입지를 점하게 됐다”며 “이를 통해 HBM(고대역폭메모리)으로 대표되는 D램은 물론, 낸드에서도 초고성능 메모리 포트폴리오를 완벽하게 갖춘 ‘풀스택 AI 메모리 프로바이더’로 도약할 것”이라고 말했다. 

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