【뉴스퀘스트=황재희 기자】한미반도체가 HBM4 장비를 출시해 기술경쟁력을 입증한 가운데 후발주자인 한화세미텍도 차세대 고대역폭메모리(HBM)용 장비 개발에 속도를 내고 있다. 한미반도체가 내놓은 HBM4용 장비는 기존 열압착방식의 TC 본더 업그레이드 제품인만큼 한화세미텍은 차세대 기술인 하이브리드본더 장비 완성도를 높여 차별화하겠다는 계획이다.

15일 업계에 따르면 한화세미텍은 하이브리드 본더 장비 개발을 위해 전담팀을 신설하고 연구개발에 박차를 가하고 있다. 

한화세미텍은 최근 신설한 패키징장비 개발센터에서 하이브리드본더 등 차세대 반도체 장비 개발을 전담한다는 계획이다.

하이브리드 본딩은 칩을 적층할 때 칩과 칩 사이에 범프를 형성하지 않고 구리를 통해 칩을 쌓는 방식이다. HBM은 얇은 칩을 높이쌓는 게 관건인데 하이브리드 본딩 방식을 적용하면 칩 전체 두께가 얇아져 고단 적층이 가능해진다.

한화세미텍 관계자는 "차세대 HBM 개발을 위한 본딩 장비로 하이브리드 본더가 주목받고 있어 관련 인력을 충원하는 등 투자를 확대하고 있다"고 말했다.

현재 시장 대세 제품인 5세대 HBM3E 제품까지는 기존 TC본더가 사용된다. TC본더는 열과 압력을 가해 압착 방식으로 HBM 을 생산하는 장비다. 하이브리드 본더는 차세대 제품인 HBM4부터 적용될 것으로 업계는 관측하고 있다.

그러나 최근 HBM3E 12단 생산용 TC본더에서 점유율 90% 이상을 차지하고 있는 한미반도체가 TC본딩 방식을 적용한 HBM4 장비를 내놓으면서 하이브리드 본더 장비 출시가 예상보다 늦어질 수 있다는 분석이 나온다. 

지난달 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 HBM4 표준 높이를 당초보다 완화해 기존 TC본더 장비로도 HBM4 생산이 가능해진 덕분이다. 

하이브리드본더 개발을 이제 마악 시작한 한화세미텍으로써는 연구개발과 기술 고도화에 시간을 벌 수 있게 된 셈이다. HBM용 장비 선발주자인 한미반도체가 속도로 치고 나갔다면 후발주자인 한화세미텍은 더 높은 기술난도가 요구되는 하이브리드본더 장비 완성도를 높여 반전을 꾀한다는 전략이다. 

한화세미텍이 최근 TC본더 납품 계약을 체결한 고객사 SK하이닉스 역시 올 하반기 출시할 6세대 HBM4에는 하이브리드본딩 방식을 적용하지 않기로 했다. 차세대 제품인 7세대 HBM4E에 적용한다는 방침이다.

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