【뉴스퀘스트=김민우 기자】 삼성전자가 업계 최초로 초당 1280기가바이트(GB)의 전송속도를 가진 36GB 5세대 고대역폭 메모리(HBM)인 HBM3E 12H(High·12단 적층) D램 개발에 성공했다.

삼성전자는 24기가비트(Gb) D램 칩을 실리콘 관통 전극(TSV) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대 용량을 구현했다고 27일 밝혔다.

삼성전자는 이 제품을 상반기중 양산에 들어가 고용량 HBM시장 선점에 나선다는 계획이다

HBM3E 12H는 초당 최대 1280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB을 제공해 성능과 용량 모두 전작인 4세대 HBM3 8H 대비 50% 이상 개선했다.

초당 1280GB는 1초에 30GB 용량의 초고화질 방송(UHD) 영화 40여편을 다운로드 할 수 있는 속도다.

삼성전자는 이번 개발에서 HBM 패키지 규격을 만족시키기 위해 열압착 비전도성 접착 필름 기술을 통해 12H 제품을 기존 8H 제품과 동일한 높이로 구현했다.

열압착 비전도성 접착 필름 기술을 적용하면 HBM 적층수가 증가하고, 칩 두께가 얇아지면서 발생할 수 있는 '휘어짐 현상'을 최소화할 수 있는 장점이 있어 고단 적층 확장에 유리하다.

삼성전자는 비전도성 접착 필름 소재 두께도 지속적으로 낮춰 업계 최소 칩간 간격인 7마이크로미터(um)를 구현했다. 이전 제품 대비 20% 이상 향상된 수직 직접도를 실현했다.

또 비전도성 접착 필름으로 코팅하고 칩을 접합해 범프 사이즈를 다양하게 하면서 동시에 공극없이 적층하는 업계 최고 수준의 기술력도 선보였다.

삼성전자가 개발에 성공한 HBM3E 12H는 인공지능(AI) 기술 발달로 데이터 처리량이 급증하는 상황에서 AI 플랫폼을 활용하는 기업들에 최고의 솔루션이 될 것으로 기대된다.

특히 이번 제품 사용시 GPU(그래픽처리장치) 사용량이 줄어 기업들이 총 소유 비용(TCO)을 절감할 수 있는 등 리소스 관리를 유연하게 사용할 수 있다.

예를 들어 서버 시스템에 HBM3E 12H를 적용하면 이전 제품 대비 평균 31% 가량 AI 학습 훈련 속도 향상이 가능하며, 최대 11.5배 많은 AI 사용자 서비스가 가능할 것으로 기대되고 있다.

배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실장 부사장은 "AI 서비스를 제공하는 고객사의 고용량 솔루션 니즈에 부합하는 혁신 제품 개발에 힘쓰고 있다"며 "앞으로 HBM 고단 적층을 위한 기술 개발에 주력하는 등 고용량 HBM 시장을 선도하고 개척해 나갈 것"이라고 밝혔다.

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