HBM3E 12단 제품, 5월 샘플 출시 후 3분기 양산 돌입
고유 첨단패키징 공법 'MR-MUF', 16단 제품에 구현
용인 클러스트, 차질없이 공사 진행 중...내년 3월 공사 착수

SK하이닉스는 2일 경기도 이천 본사에서 'AI 시대, SK하이닉스 비전과 전략'을 주제로 기자간담회를 진행했다고 밝혔다.  [SK하이닉스 제공=뉴스퀘스트]
SK하이닉스는 2일 경기도 이천 본사에서 'AI 시대, SK하이닉스 비전과 전략'을 주제로 기자간담회를 진행했다고 밝혔다.  [SK하이닉스 제공=뉴스퀘스트]

【뉴스퀘스트=김민우 기자】 “현재 고대역폭메모리(HBM)은 생산 측면에서 올해 이미 솔드아웃(완판)이며 내년 역시 거의 솔드아웃 됐다”

곽노정 SK하이닉스 사장은 2일 경기도 이천 본사에서 ‘AI 시대, SK 하이닉스 비전과 전략’을 주제로 한 내외신 기자간담회를 열고 이 같이 밝혔다.

이날 곽노정 사장은 인공지능(AI) 메모리 기술력 및 시장 현황, 청주‧용인‧미국 등 미래 주요 생산거점 관련 투자 계획을 설명했다.

오는 2027년 5월 용인 클러스터 첫 팹 준공을 3년 앞두고 열린 이날 행사에는 곽노정 대표이사 사장과 함께 김주선 사장(AI Infra 담당), 김종환 부사장(D램 개발 담당), 안현 부사장 (N-S Committee 담당), 김영식 부사장(제조/기술 담당), 최우진 부사장(패키지&테스트(P&T) 담당), 류병훈 부사장(미래전략 담당), 김우현 부사장(CFO) 등 주요 경영진이 참석했다.

곽노정 사장은 오프닝을 통해 “현재 AI는 데이터센터 중심이지만 향후 스마트폰, PC, 자동차 등 온디바이스(On-Device) AI로 빠르게 확산될 전망이다”라며 “이에 따라 AI에 특화된 ‘초고속‧고용량‧저전력‘ 메모리 수요가 폭발적으로 증가할 것”이라고 전망했다.

이어 “SK하이닉스는 HBM, 실리콘관통전극(TSV) 기반 고용량 D램, 고성능 솔리드스테이트드라이브(eSSD) 등 각 제품별 업계 최고의 기술 리더십을 확보했다”라며 “앞으로 글로벌 파트너사들과의 전략적인 협업을 통해 세계 최고의 고객맞춤형 메모리 솔루션을 제공할 것이다”고 강조했다.

현재 HBM은 생산 측면에서 보면, 올해 이미 솔드아웃(Sold-out, 완판)인데, 내년 역시 거의 솔드아웃 됐다는 것이 곽 사장의 설명이다.

그는 “HBM 기술 측면에서 보면, SK하이닉스는 시장 리더십을 더욱 확고히 하기 위해 세계 최고 성능 HBM3E 12단 제품의 샘플을 5월에 제공하고, 3분기 양산 가능하도록 준비 중”이라고 말했다.

또 “내실 있는 ‘질적 성장’을 위해 원가 경쟁력을 강화하고, 고수익 제품 중심으로 판매를 늘려 ‘수익성’을 지속적으로 높여 나가는 한편, 변화하는 수요 환경에 유연하게 대응하는 투자 방식으로 Cash 수준을 높여서 재무 건전성도 지속 제고해 나갈 계획이다”고 덧붙였다.

특히 ‘AI 시대, 고객으로부터 가장 신뢰받는 준비된 기업이자, 업황 변화에 흔들리지 않는 내실 있는 기업’으로 성장해 국가경제에 기여하고 우리나라가 AI 반도체 강국으로 올라설 수 있도록 앞장서겠다고 말했다.

김주선 사장은 AI 시대에 반도체 산업이 구조부터 바뀌는 패러다임 전환을 맞이하게 됐다고 말했다.

김 사장은 "데이터를 저장, 축적, 재생산하는 선순환 고리 중심에 메모리가 있다"며 "D램과 낸드 메모리 분야 모두에서 기술 리더십을 확보하고 있다"고 말했다.

차세대 제품 개발에 대해서는 "HBM4와 4E, LPDDR6, 300TB SSD뿐만 아니라 CXL 풀드 메모리 솔루션, PIM 등 혁신적인 메모리를 함께 준비하고 있다"고 설명했다.

최우진 부사장(P&T담당)은 회사의 패키징 기술력에 대해 설명했다.

그는 "당사가 보유한 HBM 핵심 패키지 기술 중 하나가 MR-MUF 기술"이라며 "MR-MUF 기술은 과거 공정 대비 칩 적층 압력을 6% 수준까지 낮추고, 공정시간을 줄여 생산성을 4배로 높이며, 열 방출도 45% 향상시킨다"고 말했다.

또 "회사는 HBM4에도 어드밴스드 MR-MUF를 적용해 16단 제품을 구현할 예정이며, 하이브리드 본딩(Hybrid bonding) 기술 역시 선제적으로 검토하고 있다"고 덧붙였다.

미국 투자에 대해서는 "지난달 인디애나주 웨스트라피엣에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 기지를 건설하기로 확정했다"며 "인디애나 공장에서는 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품이 양산될 예정"이라고 말했다.

김영식 부사장(제조기술 담당)은 청주 M15x 및 용인 클러스터 투자에 대해 설명했다.

김 부사장은 M15x 투자 배경 및 계획에 대해 " M15x는 연면적 6만3000평 규모의 복층 팹으로, EUV(극자외선)를 포함한 HBM 일괄 생산 공정을 갖출 예정"이라며 "내년 11월 준공 후 2026년 3분기부터 본격 양산에 들어갈 계획"이라고 말했다.

용인 클러스트에 관해서는 "팹 4기를 순차적으로 구축할 계획"이라며 "협력화 단지에는 국내외 소부장 업체들이 입주해 SK하이닉스와 협업해 반도체 생태계를 키워갈 것"이라고 설명했다.

또 "첫 팹이 들어설 1단계 부지 조성 공사 진척률은 약 42%로 차질없이 일정 진행 중"이라며 "내년 3월에 공사에 착수해 2027년 5월 준공 예정"이라고 덧붙였다. 

아울러 미니팹 건설 계획도 밝혔다.

그는 "그간 국내 소부장 업체는 좋은 기술 아이디어가 있어도 실제 양산 환경에 맞춘 테스트를 할 수 있는 기회가 부족해 신기술 개발과 경쟁력 확보에 어려움이 많았다"며 "약 9000억 원이 투자되는 미니팹 프로젝트에는 SK하이닉스가 반도체 클린룸(Clean room)과 기술 인력을 무상 제공하고 정부, 경기도, 용인시가 장비 투자와 운영을 지원한다"고 설명했다.

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