LPDDR5 개발 과정서 D램에 HKMG 공정 적용해 주목
![팀원들과 기념사진을 촬영하고 있는 손윤익 팀장(가운데) [사진=SK하이닉스]](https://cdn.newsquest.co.kr/news/photo/202506/246836_146434_5235.png)
【뉴스퀘스트=황재희 기자】"새로운 시도를 두려워하지 않고 도전한 덕분에 결국 최고의 경쟁력을 확보할 수 있었습니다"
올해 대한민국 대표 엔지니어 시상식에서 수상한 손윤익 SK하이닉스 팀장은 이같이 말했다.
18일 SK하이닉스는 서울 강남구 삼정호텔에서 전날 열린 2025년 상반기 대한민국 엔지니어상 시상식에서 손 팀장이 수상했다고 밝혔다.
손 팀장은 SK하이닉스 미래기술연구원 DPERI조직 소속으로 회사의 매출을 견인하는 HBM(고대역폭메모리)과 모바일용 저전력 D램인 LPDDR의 개발을 주도해온 공로를 인정받아 이번 상을 수상했다.
올해로 입사 19년 차를 맞은 손 팀장은 LPDDR5 개발 과정에서 D램에 HKMG(하이케이메탈게이트) 공정을 성공적으로 적용해 업계의 주목을 받았다.
HKMG 공정은 CPU(중앙처리장치)나 AP(애플리케이션프로세서)와 같은 로직 반도체에 적용됐던 공정으로 D램 제조에 적용하기에는 많은 제약이 있어 시도되지 않았다.
반면 손 팀장은 기술 혁신을 위해 과감히 도전해 결과적으로 제품의 성능과 전력 효율을 획기적으로 개선하는 데 성공할 수 있었다.
손 팀장은 "D램에 HKMG를 도입한다는 것은 단순한 기술 확장이 아닌 패러다임 전환"이라면서 "셀 트랜지스터에 미치는 영향을 최소화하면서도 HKMG의 단점인 GIDL과 신뢰성 문제를 극복해야 했다"고 설명했다.
또 다른 주목할 만한 성과로는 꾸준히 연구·개발해 온 Peri 영역의 소자 기술들을 꼽았다. 해당 기술들은 AI 메모리 반도체의 시장의 핵심 제품인 HBM의 성능 개선에도 크게 이바지하며 SK하이닉스 반도체 제품 전반에 걸친 혁신을 이뤄냈다고 평가되고 있다.
소자 엔지니어이기도 한 손 팀장은 "최근 AI에 사용되는 고성능 D램은 초고속, 초저전력 특성이 필수인데 이를 만족하기 위해선 Peri 영역의 성능이 중요한 역할을 한다"라고 짚었다.
Peri 는 데이터를 저장하는 셀 들을 선택하고 컨트롤하는 역할을 하는 주변부 회로 영역을 뜻한다. 손 팀장은 "방대한 양의 데이터를 처리해야 하는 AI 메모리의 경우 데이터가 다니는 입구와 출구 역할을 하는 Peri 영역의 성능이 뒷받침되지 않는다면 결국 병목현상이 발생할 수밖에 없고 제품 자체의 성능 향상도 기대할 수 없다"고 말했다.
마지막으로 손 팀장은 엔지니어로서 자부심을 강조했다. 손 팀장은 "엔지니어는 기술을 통해 세상의 문제를 해결하는 사람들이며 여러 제약 속에서도 새로운 가능성을 찾아내고 실현하는 것이 엔지니어의 본질"이라면서 미래 엔지니어들에게는 기술에 대한 믿음과 실패를 견디는 끈기를 당부했다.
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