【뉴스퀘스트=김민우 기자】 SK하이닉스가 초미세화 D램 제조 공정인 '1c 미세 공정'을 적용해 업계 최초 10나노급(nm) DDR5 D램 개발에 성공했다.

10나노대 초반 극 미세화된 메모리 공정 도입에 성공한 SK하이닉스는 차세대 HBM(고대역폭메모리), 저전력 DDR6, GDDR7 등 최첨단 D램 주력 제품군에도 해당 기술을 적용한다는 계획이다.

SK하이닉스는 1c 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다고 29일 밝혔다.

1c 미세공정은 메모리 반도체인 'D램' 제조 공정 기술의 한 세대를 나타내는 용어다.

반도체 제조 공정은 기술 발전에 따라 더 미세화되고 있는데 D램의 경우 1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c 등과 같이 알파벳 순서로 세대를 구분한다. 1c는 6세대 D램 공정을 뜻한다.

SK하이닉스는 "1b D램의 플랫폼을 확장하는 방식으로 1c를 개발했다"며 "공정 고도화 과정에서 발생할 수 있는 시행착오를 줄이고 1b의 강점을 가장 효율적으로 1c로 옮겨올 수 있었다"고 설명했다.

아울러 "EUV(극자외선) 특정 공정에 신소재를 개발 적용하고 전체 공정 중 EUV 적용 공정 최적화를 통해 원가 경쟁력을 확보했다"며 "설계 기술 혁신도 병행해 이전 세대인 1b 대비 생산성을 30% 이상 향상시켰다"고 덧붙였다.

고성능 데이터센터에 주로 활용될 1c DDR5의 동작속도는 8Gbps(초당 8기가비트)로 이전 세대 대비 11% 빨라졌다. 또한 전력 효율은 9% 이상 개선됐다.

SK하이닉스는 연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급한다는 계획이다.

김종환 SK하이닉스 부사장(D램 개발담당)은 "최고의 성능과 원가 경쟁력을 동시에 충족시킨 1c 기술을 차세대 HBM, LPDDR6, GDDR7 등 최첨단 D램 주력 제품군에 적용하면서 고객에게 차별화된 가치를 제공할 것”이라며 “앞으로도 당사는 D램 시장 리더십을 지키면서 고객으로부터 가장 신뢰받는 AI 메모리 솔루션 기업의 위상을 공고히 하겠다”고 말했다.

<세상을 보는 바른 눈 '뉴스퀘스트'>